လက်ကား တိုက်တေနီယမ် တိုးချဲ့ကွက်Sinotech

တိုက်တေနီယမ် ဖြန့်ကြက်ထားသည့် ကန့်လန့်ကာ စွယ်စုံရနှင့် စျေးသက်သာဆုံး ချဲ့ထွင်ထားသော သတ္တုကွက် အသွင်အပြင်

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

တိုက်တေနီယမ် တိုးချဲ့ကွက်တိုက်တေနီယမ်ပြား သို့မဟုတ် တိုက်တေနီယမ်သတ္တုပြားဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည်။တံဆိပ်ရိုက်ခြင်းနှင့် ဆန့်ပြီးနောက်၊ တိုက်တေနီယမ် ချဲ့ထားသော ကွက်သည် ခိုင်ခံပြီး တာရှည်ခံသည်။နောက်ထပ်၊ ကျွန်ုပ်တို့ထုတ်လုပ်သော တိုက်တေနီယမ်တိုးချဲ့ကွက်များသည် ချောမွေ့သောမျက်နှာပြင်ရှိပြီး ချွတ်ယွင်းချက်မရှိသောကြောင့် ၎င်းတို့သည် အသုံးပြုသူ၏လက်အတွက် အဆင်ပြေပါသည်။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

သတ်မှတ်ချက်များ

ပစ္စည်း-တိုက်တေနီယမ်စစ်စစ် TA1၊ TA2 နှင့် TA5၊ TA7၊ TC1၊ TC2၊ TC3၊ TC4 ကဲ့သို့သော တိုက်တေနီယမ်အလွိုင်း။
အမျိုးအစားများ-
အများအားဖြင့် ပန်းကန်အထူ0.05mm-5mm
ထောက်ပံ့မှုအောက်တွင် စိန်ပွင့်သည်-0.3x0.6mm၊0.5x1mm၊0.8x1.6mm၊1x2mm၊1.25x1.25mm၊1.5x3mm၊ 2x3mm၊ 2x4mm၊2.5x5mm၊3x6mm၊ 5x10mm၊25x40mm၊ 30x60x10mm၊ စိတ်ကြိုက်လုပ်နိုင်သည် လိုအပ်သည်။
ချဲ့ထွင်ထားသော တိုက်တေနီယမ်ကွက်ကို အသုံးပြုခြင်း- လျှပ်စစ်ပလပ်စတစ်လျှပ်ကူးပစ္စည်း အီလက်ထရောနစ် ဟိုက်ဒရိုဂျင်၊ အသေးစား ဟိုက်ဒရိုဂျင်ပြုလုပ်သည့်စက်၊ လျှပ်စစ်အပေါက်၊ အိုင်းယွန်းလဲလှယ်မြှေးလျှပ်ကူးပစ္စည်း၊ ဘက်ထရီလျှပ်ကူးပစ္စည်းကွက်နှင့် လောင်စာဆဲလ်စုဆောင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ပန်းကန်။
Flatness တောင်းဆိုခြင်း- ကုန်ချောနှင့် ဖန်ပလပ်ဖောင်းကြား အဆက်အသွယ် ဧရိယာ ≥ 96%။
တိုက်တေနီယမ် ကွက်များသည် ပင်လယ်ရေမှ ဓာတ်တိုးဆန့်ကျင်မှုကို ကောင်းစွာခံနိုင်ရည်ရှိသည်။အခြေခံအားဖြင့်၊ ဒီဇိုင်းသက်တမ်းသည် များသောအားဖြင့် နှစ် 30 ပိုသည်။

သတ်မှတ်ချက် - ချဲ့ထွင်ထားသော သတ္တု
စတိုင်	ဒီဇိုင်းအရွယ်အစားများ		အဖွင့်အရွယ်အစားများ		ကမ်းနားလမ်း		ပွင့်လင်းဧရိယာ (%)
စတိုင်	A-SWD	B-LWD	C-SWO	D-LWO	အီး-အထူ	F-အကျယ်	ပွင့်လင်းဧရိယာ (%)
REM-3/4" #9	၀.၉၂၃	2	၀.၆၇၅	၁.၅၆၂	၀.၁၃၄	၀.၁၅	67
REM-3/4" #10	၀.၉၂၃	2	၀.၇၁၈	၁.၆၂၅	၀.၀၉၂	၀.၁၄၄	69
REM-3/4" #13	၀.၉၂၃	2	၀.၇၆	၁.၆၈၈	၀.၀၉	၀.၀၉၆	79
REM-3/4" #16	၀.၉၂၃	2	၀.၇၈၃	၁.၇၅	၀.၀၆	၀.၁၀၁	78
REM-1/2"#13	၀.၅	၁.၂	၀.၃၃၇	၀.၉၃၈	၀.၀၉	၀.၀၉၆	62
REM-1/2"#16	၀.၅	၁.၂	၀.၃၇၂	၀.၉၃၈	၀.၀၆	၀.၀၈၇	65
REM-1/2"#18	၀.၅	၁.၂	၀.၃၈၂	၀.၉၃၈	၀.၀၄၈	၀.၀၈၈	65
REM-1/2"#20	၀.၅	1	၀.၄၀၇	၀.၇၁၈	၀.၀၃၆	၀.၀၇၂	71
REM-1/4"#18	၀.၂၅	1	၀.၁၄၆	၀.၇၁၈	၀.၀၄၈	၀.၀၇၂	42
REM-1/4"#20	၀.၂၅	1	၀.၁၅၇	၀.၇၁၈	၀.၀၃၆	၀.၀၇၂	42
REM-1"#16	1	၂.၄	၀.၈၇၂	၂.၀၆၂	၀.၀၆	၀.၀၈၇	83
REM-2"#9	၁.၈၅	4	၁.၆၀၃	၃.၃၇၅	၀.၁၃၄	၀.၁၄၉	84
REM-2"#10	၁.၈၅	4	၁.၆၃	၃.၄၃၉	၀.၀၉	၀.၁၆၄	82
မှတ်ချက် -
1. အတိုင်းအတာအားလုံး လက်မ။
2. တိုင်းတာခြင်းကို နမူနာအဖြစ် ကာဗွန်သံမဏိကို ယူသည်။

လျှောက်လွှာ- ထုတ်ကုန်များကို အီလက်ထရွန်းနစ်၊ လေကြောင်း၊ အာကာသ၊ စက်မှုလယ်ယာနှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုကြသည်။

အက်ဆစ်နှင့် အယ်လ်ကာလီပတ်ဝန်းကျင်အခြေအနေများ သို့မဟုတ် ဓာတ်ငွေ့၊ အရည်စစ်ထုတ်ခြင်းနှင့် အခြားမီဒီယာခွဲခြားမှုအောက်တွင် စိစစ်ခြင်းနှင့် စစ်ထုတ်ခြင်းအတွက် အဓိကအားဖြင့် အသုံးပြုပါသည်။တိုက်တေနီယမ်ကွက်များကို မြင့်မားသောအပူချိန်ခံနိုင်ရည်ရှိသော စစ်ထုတ်ခြင်း၊ သင်္ဘောတည်ဆောက်ခြင်း၊ စစ်ဘက်ကုန်ထုတ်ခြင်း၊ ဓာတုစစ်ထုတ်ခြင်း၊ စက်ဇကာများ၊ လျှပ်စစ်သံလိုက်အကာအကွယ်ပေးသည့်ကွက်၊ ပင်လယ်ရေသန့်စင်သည့်ဇကာ၊ အပူချိန်မြင့်မားသောလျှပ်စစ်မီးဖိုအပူကုသမှုဗန်း၊ ရေနံစစ်ထုတ်ခြင်း၊ အစားအသောက်ပြုပြင်ခြင်း၊ ဆေးစစ်ခြင်း၊ ဦးခေါင်းခွံပြုပြင်ခြင်းလုပ်ငန်းများတွင် အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။ ခွဲစိတ်မှုလိုမျိုး။

အခြားပစ္စည်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက တိုက်တေနီယမ်ကွက်၏ပစ္စည်းသည် ပိုမိုခက်ခဲပြီး ၎င်း၏တိကျသောဆွဲငင်အားမှာ ပိုမိုပေါ့ပါးသည်။ယေဘူယျအားဖြင့်၊ တိုက်တေနီယမ်ပြား၏ အဝိုင်းပုံသဏ္ဍာန်ကို သုံးဖက်မြင်ခွဲစိတ်မှုအတွက် အသုံးပြုကြပြီး လေးဖက်မြင်ခွဲစိတ်မှုတွင် စိန်ပုံသဏ္ဍာန်ရှိသော တိုက်တေနီယမ်ပြား၏ အပေါက်ကို အသုံးပြုသည်။

တစ်ဦးတည်းပိုင် ရေတွင်းပျော်ရည်သည် တိုက်တေနီယမ်အခြေခံ ပလက်တီနမ်လျှပ်စစ်ပလပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်၊ ပလက်တီနမ်အပေါ်ယံပိုင်းသည် ကျစ်လစ်သိပ်သည်းသောဖွဲ့စည်းပုံရှိပြီး တောက်ပသောငွေရောင်အသွင်အပြင်ရှိသည်။၎င်းတွင် high anode discharge current density နှင့် long service life တို့၏ သွင်ပြင်လက္ခဏာများရှိသည်။အခြားသော တိုက်တေနီယမ်အခြေခံ ပလက်တီနမ်အပေါ်ယံပိုင်း လုပ်ငန်းစဉ်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက တိုက်တေနီယမ်အခြေခံ ပလက်တီနမ် ပလက်တီနမ် ပလပ်စတစ် လုပ်ငန်းစဉ်သည် တိုက်တေနီယမ်၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် သန့်စင်သော ပလက်တီနမ်အလွှာကို ဖုံးအုပ်ထားကာ တိုက်တေနီယမ်အခြေခံ ပလက်တီနမ်အပေါ်ယံလွှာတွင် ပလက်တီနမ်ပါရှိသော ဒြပ်ပေါင်းအလွှာကို တိုက်တေနီယမ်အခြေခံတွင် ဖုံးအုပ်ထားသည်။ .အပူချိန်မြင့်မားစွာ သန့်စင်ပြီးနောက်၊ ပလက်တီနမ်ပါဝင်သော အောက်ဆိုဒ်အလွှာသည် လျော့ရဲသောဖွဲ့စည်းပုံ၊ ခံနိုင်ရည်မြင့်မားပြီး electrolysis လုပ်နေစဉ်အတွင်း သုံးစွဲမှုနှုန်းမြင့်မားသော တိုက်တေနီယမ်၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ဖြစ်ပေါ်သည်။